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開啟電壓Uarh為轉移特性與橫坐標交點處的電壓值，是IGBT導適的射極電壓，以的光隨溫度升高面下降，溫度每升高℃，。高，值下降EmV左右在25℃時，1GBT的開啟電壓一般為2～6v③通態壓降UcE ( on ) IGBT的通態壓降UcEtcm ) [參見圖3-10 ( b ) ]為Ucgm ) = Vn + Ugs +IpRm式中Vn -J結的正向壓降，約0.7～1V；Ukx——為PNP晶體管基區內的調制電阻Rs上的壓降；Rm——MOSFET的溝道電阻。通態壓降Ucron )決定了通態損耗，通常IGBT的Ucgtm為2～3V4柵射極電壓Uurs柵極電壓是由柵氧化層的厚度和特性所限制的。雖然柵氧化層介電擊穿電壓的典型值大約為80V .但為了限制故障情況下的電流和確保長期使用的可靠性。

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應將柵極電壓限制在20V之內，其值一般取15V左右。5集電極連續電流Ic和峰值電流Icm集電極流過的連續電流Ic即為IGBT的額定電流，其表征IGBT的電流容量。Ic主要受結溫的限制。為了避免擎住效應的發生，規定了1GBT的集電極電流峰值Icw。由于IGBT大多工作在開關狀態，因而Iex更具有實際意義，只要不超過額定結溫( 150℃) .IGBT可以工作在比連續電流額定值大的峰值電流Icv范圍內，通常峰值電流為額定電流的2倍左右。與MOSFET相同，參數表中給出的Ic為Tc = 25℃或Tc = 100℃時的值，在選擇IGBT的型號時應根據實際工作情況考慮裕量。（5）安全工作區IGBT具有較寬的安全工作區。因IGBT常用于開關工作狀態，它的安全工作區分為正向偏置安全工作區( FBSOA，Forward Biased Safe Operating Area )和反向偏置安全工作區( RBSOA , Reverse Biased Safe Operating Area )。圖3-14 ( a )、( b )分別為IGBT的正向偏置安全工作區( FBSOA )和反向偏置安全工作區( RBSOA )。

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正向偏置安全工作區( FBSOA )是IGBT在導通工作狀態的參數極限范圍。FBSOA由導寬的集電極電流IcM、集射極間電壓Uces和功耗Pou三條邊界線包圍而成。FBSOA的大小與IGBT的導通時間長短有關。導通時間越短，功耗耐量越高。圖3-14 ( a )示出了直流( DC )和脈寬( PW )分別為100gs、10μs三種情況的FBSOA，其中直流的FBSOA為最小，而脈寬為10gs的FBSOA。反向偏置安全工作區( RBSOA )是IGBT在關斷工作狀態下的參數極限范圍。RBSOA由集電極電流Icw、集射極間電壓Ucgs和電壓上升率du / dr三條極限邊界線所圍而成。如前所述，過高的dauce / d會使1GBT產生動態擎住效應。duce / dr越大，RBSOA越小。絕緣柵極雙極晶體管( IGBT )的集電極電流Icx是根據避免動態擎住而確定的，與